Недоліки тріодів: Незважаючи на те, що тріод широко застосовуються у всілякій апаратурі, вони мають два істотних недоліки. По-перше, у них не можна сполучити високий коефіцієнт підсилення й "ліву" сіткову характеристику струму анода. Дійсно, якщо побудувати тріод з дуже густою сіткою для одержання великого коефіцієнта підсилення, то лампа буде защіпатися вже при дуже невеликій негативній напрузі на сітці.

У цьому випадку вся сіткова характеристика практично розташовується в області позитивних сіткових напруг і лише невелика частина її нижнього вигину перебуває в області негативних сіткових напруг. Подібна лампа може працювати тельки з більшими сітковими струмами.

Щоб зрушити характеристику такої лампи значно вліво, треба збільшити анодну напругу до неприпустимо високих значень. Наприклад, щоб при х=500 замикаюча напруга становила необхідно анодну напругу 2 500 в.

Для усунення такого недоліку тріоди робляться з коефіцієнтом підсилення не вище 100. Другим недоліком тріода є порівняно більша прохідна ємність Сас, шкідливий вплив якої вже був розгляд вище. Обидва недоліки можуть бути майже повністю усунуті шляхом введення в лампу додаткової (другий) сітки

Пристрій і робота тетродів: Четырехэлектродные лампи із двома сітками прийнятий називати тетродами. У цей час широке застосування одержали винятково тетроди, у яких друга сітка, називана що екранує або екранної, розташована між керуючою сіткою й анодом. Призначенням сітки, що екранує, є підвищення коефіцієнта підсилення й зменшення шкідливої прохідної ємності Сас Можна помістити додаткову сітку й в іншому місці - між керуючою сіткою й катодом. Тоді неї називають катодною сіткою.

Така сітка не підвищує коэффицента посилення й не знижує прохідної ємності. Її призначення складається в зменшенні об'ємного заряду ("електронної хмарини"), наявного біля катода. На катодну сітку від анодного джерела подається деякий позитивний потенціал, і вона створює додаткове прискорювальне поле, що сприяє рассасыванию електронної хмарини. Завдяки цьому лампа може працювати нормально при низьких анодних напругах.